کار تولید انبوه حافظه های ۳D Vertical NAND سامسونگ آغاز شد

ممتازنیوز:

6a0148c7283f78970c0192ac63931d970d-v1-620x413

شرکت سامسونگ این هفته اعلام کرد که آنها کار تولید انبوه حافظه های فلش ۳D Vertical NAND یا V-NAND برای قرارگرفتن در دستگاههای مختلف در سرتاسر دنیا را آغاز کرده اند (حافظه های فلش معمولی دارای ساختاری دو بعدی است). این فلش مموری جدید طی ۱۰ سال گذشته توسعه پیدا کرده و قرار است بطور گسترده ای در لوازم مختلف الکترونیکی مصرفی و محصولاتی چون SSD مورد استفاده قرار گیرد.

شرکت تحقیقاتی IHS iSuppli تخمین می زند که بازار جهانی حافظه های فلش NAND بتواند به درآمدی ۳۰.۸ میلیارد دلاری تا پایان سال ۲۰۱۶ میلادی دست پیدا کند. V-NANDهای سامسونگ شامل تراکم ۱۲۸ گیگابایتی در یک تک چیپ با ساختار سلولی عمودی است. این شرکت می گوید آنها با استفاده از تکنولوژی CTF یا  ۳D Charge Trap Flash و تکنولوژی فرایند اتصال عمودی در ساخت این محصول توانسته اند به ۲ برابر قابلیت های حافظه های فلش ۲۰ نانومتری که در NANDهای استاندارد استفاده می شود دست پیدا کنند.

geeky-gadgets

پی سی وار

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. نظرتان را در مورد مطلب فوق بنویسید *

بستن تبلیغ